光(guāng)伏闆内嵌電(diàn)源變壓器(qì)：内嵌太陽能(néng)發電(diàn)太陽能(néng)電(diàn)池闆及電(diàn)瓶機(jī)器(qì)設備無需外部電(diàn)源變壓器(qì)
高(gāo)品質清除：選用拒塵柔性原料有效清除污垢長(cháng)久性運用不易劃傷太陽能(néng)發電(diàn)太陽能(néng)電(diàn)池闆
效率高(gāo)清除：每分清除8-12米持續工(gōng)作上(shàng)超過4小(xiǎo)時
輕巧方案設計:身體淨重比較輕有益于移動
沒有水(shuǐ)清除：無需飲用水(shuǐ)不同尋常的方案設計不易造成二次污染
操作過程簡單：平常運用時按設定方案自(zì)動式工(gōng)作上(shàng)人力資源操作過程時可控制器(qì)/手拉式操作過程
内嵌電(diàn)源變壓器(qì)：内嵌太陽能(néng)發電(diàn)太陽能(néng)電(diàn)池闆及電(diàn)瓶機(jī)器(qì)設備無需外部電(diàn)源變壓器(qì)
值得信賴：柔性輪組方案設計不壓太陽能(néng)發電(diàn)太陽能(néng)電(diàn)池闆不易造成 隐裂
高(gāo)品質清除：選用拒塵柔性原料有效清除污垢長(cháng)久性運用不易劃傷太陽能(néng)發電(diàn)太陽能(néng)電(diàn)池闆
效率高(gāo)清除：每分清除8-12米持續工(gōng)作上(shàng)超過4小(xiǎo)時
輕巧方案設計:身體淨重比較輕有益于移動
沒有水(shuǐ)清除：無需飲用水(shuǐ)不同尋常的方案設計不易造成二次污染
操作過程簡單：平常運用時按設定方案自(zì)動式工(gōng)作上(shàng)人力資源操作過程時可控制器(qì)/手拉式操作過程
2PID效應
光(guāng)伏闆電(diàn)勢差造成透射系數效應（PID，PotentialInducedDegradation）是锂電(diàn)池組件(jiàn)長(cháng)久性在高(gāo)電(diàn)壓作用下(xià)，使夾絲玻璃、封裝原料正中間存在洩漏電(diàn)流，許多(duō) 正電(diàn)狙擊在電(diàn)池片表面，促進可充電(diàn)電(diàn)池表面的不鏽鋼鈍化預期效果惡化，導緻 構件(jiàn)特點低(dī)于設計标準。PID情況情況嚴重時，會(huì)導緻一(yī)塊構件(jiàn)功率透射系數50%以上(shàng)，從(cóng)而傷害所有組串的功率輸出。高(gāo)溫、高(gāo)低(dī)溫試驗、高(gāo)鹽土(tǔ)的沿海地區非常容易造成PID情況。
造成 構件(jiàn)PID情況的原因重要有以下(xià)三個(gè)方面：
1）自(zì)動控制系統設計方案原因：太陽能(néng)發電(diàn)發電(diàn)廠的防雷接地線線是依據将引流矩陣邊緣的構件(jiàn)邊框接地系統進行的，這就(jiù)造成 在獨立構件(jiàn)和邊框正中間造成偏壓，構件(jiàn)所處偏壓越高(gāo)而造成PID情況越情況嚴重。對于P型晶矽構件(jiàn)，依據有變壓器(qì)的變頻電(diàn)源負級接地系統，消除構件(jiàn)邊框相(xiàng)對于電(diàn)池片的順接偏壓會(huì)有效的避免 PID情況的造成，但變頻電(diàn)源負級接地系統會(huì)提高(gāo)相(xiàng)對性的系統基建項目成本費(fèi)用；
2）太陽能(néng)電(diàn)池原因：高(gāo)溫、高(gāo)低(dī)溫試驗的外界地理環境促進電(diàn)池片和接地系統邊框正中間造成洩漏電(diàn)流，封裝原料、檔闆、夾絲玻璃和邊框正中間造成了洩漏電(diàn)流安全出口。依據運用變更電(diàn)纜護套膠帶紙(zhǐ)丁二烯醋酸乙烯酯（EVA）是進行構件(jiàn)抗PID的方式之一(yī)，在運用不一(yī)樣EVA封裝膠帶紙(zhǐ)規範下(xià)，構件(jiàn)的抗PID特點會(huì)存在區别。除此之外，太陽能(néng)電(diàn)池中的夾絲玻璃重要為(wèi)鈣鈉玻璃，夾絲玻璃對太陽能(néng)電(diàn)池的PID情況的傷害至今尚不建立；
3）電(diàn)池片原因：電(diàn)池片方塊電(diàn)阻的均勻性、減反射層的厚薄和折射率等對PID特點都有著(zhe) 不一(yī)樣的傷害。
上(shàng)述導緻PID情況的三方面中，由在太陽能(néng)發電(diàn)站(zhàn)系統中的構件(jiàn)邊框與構件(jiàn)内部的電(diàn)勢差而導緻的構件(jiàn)PID情況被生(shēng)産制造制造行業(yè)所認同，但在構件(jiàn)和電(diàn)池片兩個(gè)方面構件(jiàn)導緻PID情況的基本原理尚不建立，相(xiàng)對性的進一(yī)步提高(gāo)構件(jiàn)的抗PID特點的防範措施仍不清楚。
3電(diàn)池片隐裂
隐裂是電(diàn)池片的缺陷。由于分子式的自(zì)身特性，晶矽電(diàn)池片十分很容易造成開(kāi)裂。晶體矽構件(jiàn)生(shēng)産加工(gōng)的生(shēng)産工(gōng)藝流程長(cháng)，許多(duō) 環節都很有可能(néng)造成 電(diàn)池片隐裂（據西(xī)安交大楊宏老師(shī)的原材料，僅可充電(diàn)電(diàn)池生(shēng)産加工(gōng)階段就(jiù)大概200種原因）。隐裂導緻的本質原因，可整理為(wèi)在矽單晶上(shàng)導緻了工(gōng)業(yè)設備應力場或電(diàn)焊焊接地應力。
近幾年(nián)來，晶矽構件(jiàn)生(shēng)産商便于操縱成本費(fèi)，晶矽電(diàn)池片一(yī)直向越來越薄的方向發展趨向，從(cóng)而降低(dī)了電(diàn)池片防止 工(gōng)業(yè)設備損壞的專業(yè)能(néng)力。
二零一(yī)一(yī)年(nián)，荷蘭ISFH公布了他們的科研結果：根據電(diàn)池片隐裂的模樣，可分為(wèi)5類：樹結構裂縫、綜合型裂縫、斜裂縫、垂直面于主栅線、空間四邊形栅線和緊緊圍繞所有電(diàn)池片的裂縫。
不一(yī)樣的隐裂，對電(diàn)池片功效造成 的傷害是不一(yī)樣的。對電(diàn)池片功效傷害很大 的，是垂直面于主栅線的隐裂（第四類）。根據科研結果，50%的失效片來自(zì)于垂直面于主栅線的隐裂。45°傾斜裂縫（第三類）的效率高(gāo)危害是垂直面于主栅線危害的1/4。空間四邊形主栅線的裂縫（第5類）幾乎不傷害細栅線，因此造成 電(diàn)池片失效的占地面積大部分為(wèi)零。
有科研數據信息顯示信息，構件(jiàn)中某獨立電(diàn)池片的失效占地面積在8%以内時，對構件(jiàn)的功率傷害并不算(suàn)太大，構件(jiàn)中2/3的斜紋路(lù)對構件(jiàn)的功率穩定沒有傷害。
太陽能(néng)電(diàn)池特點的檢測
太陽能(néng)發電(diàn)發電(diàn)廠運行一(yī)段時間後，務必進行檢測，來确立太陽能(néng)發電(diàn)發電(diàn)廠的特點。牽涉到(dào)太陽能(néng)電(diàn)池的，重要包含以下(xià)最新項目。
1功率透射系數檢驗
太陽能(néng)電(diàn)池運行一(yī)年(nián)和25年(nián)以後的透射系數率到(dào)底有多(duō)少？25年(nián)長(cháng)期，現如今很有可能(néng)還(hái)沒有運行那麼長(cháng)期性的發電(diàn)站(zhàn)。按我國(guó)國(guó)家标準，晶矽電(diàn)池2年(nián)的透射系數率理應在3.2%以内。但目前這一(yī)數據信息還(hái)的确不太好說，原因有三：
1）太陽能(néng)電(diàn)池出場功率是用實驗室标準光(guāng)源和接口測試校正的，但仿佛我國(guó)不一(yī)樣生(shēng)産商的标準光(guāng)源是存在一(yī)定的區别的。那在A廠校正的250W的構件(jiàn)，趕到(dào)B廠，很有可能(néng)就(jiù)是245W的構件(jiàn)的。
2）現場檢測常見(jiàn)的實驗儀器(qì)精确度較差，聽聞5%以内的誤差都是可以接受的。用誤差5%的實驗儀器(qì)，測2%（一(yī)年(nián)）的透射系數，難易度一(yī)些大，結果也令人猜忌。
3）現場的測試标準跟實驗室的距離非常大，正好在1000W/m2、25℃的時間太少了！因而，就(jiù)務必進行一(yī)個(gè)參考值向指标的變換，而輸出功率與輻照(zhào)度僅在一(yī)個(gè)并不大的區間内正比。如圖2所顯示信息，就(jiù)算(suàn)在800W/m2時，也不是正比的。因此，在變換的狀況下(xià)，不容置疑存在誤差。
除此之外，很多(duō) 構件(jiàn)出場很有可能(néng)就(jiù)是-3%的功率偏差，都還(hái)沒透射系數，3%就(jiù)馬上(shàng)沒了……
2EL檢驗
當太陽能(néng)電(diàn)池出現難點時，一(yī)部分電(diàn)阻升高(gāo)，該地域溫度便會(huì)升高(gāo)。EL檢查儀好似大夥兒體檢中的X光(guāng)機(jī)一(yī)樣，可以對太陽能(néng)電(diàn)池進行體檢——依據紅(hóng)外感應圖像拍攝，根據溫度不一(yī)樣，圖像呈現不一(yī)樣的色彩，從(cóng)而非常容易的發現太陽能(néng)電(diàn)池的很多(duō) 難點：隐裂、熱斑、PID效應等。
太陽能(néng)電(diàn)池在運輸、運輸、安裝等整個(gè)過程中，很容易被爬取、撞擊，導緻 構件(jiàn)導緻不易發現的隐裂，極大傷害構件(jiàn)輸出功率。
上(shàng)述檢測外，對構件(jiàn)的外觀檢查也十分重要。如構件(jiàn)檔闆劃痕、變黃、起包，射頻連接器(qì)往下(xià)掉等。
近期太陽能(néng)電(diàn)池價格轉變
太陽能(néng)發電(diàn)發電(diàn)廠受政策傷害，會(huì)在某一(yī)時間段集中投入運營。因此，造成 一(yī)年(nián)内對上(shàng)中下(xià)遊的規定變化十分大。
