1輸出功率
大家常說，選用255Wp太陽能(néng)組件(jiàn)。下(xià)列的“p”為(wèi)peak的簡稱，意味著(zhe)其最高(gāo)值輸出功率為(wèi)255W。全部的技(jì)術(shù)規格書上(shàng)都會(huì)标明“規範檢測标準”的。
僅有在規範檢測标準（STC标準，輻照(zhào)度為(wèi)1000W/m2，電(diàn)池溫度25℃，AM=1.5）時，太陽能(néng)組件(jiàn)的功率才算(suàn)是“允差輸出功率”（250W）。當輻照(zhào)度和溫度轉變時，輸出功率毫無疑問會(huì)轉變。此外，輸出功率偏差為(wèi)正負極3%，表明部件(jiàn)的實際功率是242.5~257.5W全是提高(gāo)的。但是，這一(yī)部件(jiàn)的輸出功率誤差為(wèi)正誤差3%。
在非标标準下(xià)，太陽能(néng)組件(jiàn)的功率一(yī)般并不是允差輸出功率，下(xià)面的圖為(wèi)NOCT标準下(xià)允差輸出功率為(wèi)250W、255W的主要參數。
2光(guāng)學轉換高(gāo)效率
1）高(gāo)效率的計算(suàn)方式
理論上(shàng)，規格、允差輸出功率同樣的部件(jiàn)，高(gāo)效率肯定是同樣的。太陽能(néng)組件(jiàn)是由電(diàn)池片構成，一(yī)塊太陽能(néng)組件(jiàn)一(yī)般 由60片（6&TImes;10）或72片（6&TImes;10）電(diàn)池片構成，總面積各自(zì)為(wèi)1.638m2（0.991m&TImes;1.651m）和3.895m2（0.991m&TImes;1.956m）。
輻照(zhào)度為(wèi)1000W/m2時，1.638m2部件(jiàn)上(shàng)接受的輸出功率為(wèi)1638W，當輸出為(wèi)250W時，高(gāo)效率為(wèi)15.3%，255W時為(wèi)15.6%。
3工(gōng)作電(diàn)壓與溫度系數
工(gōng)作電(diàn)壓分開(kāi)路(lù)電(diàn)壓和MPPT工(gōng)作電(diàn)壓，溫度系數分工(gōng)作電(diàn)壓溫度系數和輸出功率溫度系數。在開(kāi)展串聯和并聯設計方案時，要用開(kāi)路(lù)電(diàn)壓、工(gōng)作标準電(diàn)壓、溫度系數、本地極端化溫度（最好日間）開(kāi)展較大開(kāi)路(lù)電(diàn)壓和MPPT工(gōng)作電(diàn)壓範疇的測算(suàn)，與逆變電(diàn)源開(kāi)展配對。
危害光(guāng)伏太陽能(néng)組件(jiàn)負荷率的好多(duō)個(gè)要素
1熱斑效應
一(yī)串連環路(lù)中被遮掩的太陽能(néng)電(diàn)池部件(jiàn)，将被作為(wèi)負荷耗費(fèi)别的有陽光(guāng)照(zhào)射的太陽能(néng)電(diàn)池部件(jiàn)所造成的動能(néng)，被遮掩的太陽能(néng)電(diàn)池部件(jiàn)這時會(huì)發燙，這就(jiù)是熱斑效應。
這類效用能(néng)比較嚴重的毀壞太陽能(néng)電(diàn)池。有陽光(guāng)照(zhào)射的太陽能(néng)電(diàn)池所造成的一(yī)部分動能(néng)，都很有可能(néng)被遮掩的充電(diàn)電(diàn)池所耗費(fèi)。而導緻熱斑效應的，很有可能(néng)隻是是一(yī)塊樹膠。
以便避免 太陽能(néng)電(diàn)池因為(wèi)熱斑效應而遭到(dào)毀壞，最好是在太陽能(néng)電(diàn)池部件(jiàn)的正負間串聯一(yī)個(gè)旁通(tōng)二極管，以防止陽光(guāng)照(zhào)射部件(jiàn)所造成的動能(néng)被受遮掩的部件(jiàn)所耗費(fèi)。當熱斑效應比較嚴重時，旁通(tōng)二極管很有可能(néng)會(huì)被穿透，令部件(jiàn)損壞.
2PID效用
電(diàn)位差引起衰減系數效用是锂電(diàn)池組件(jiàn)長(cháng)期性在高(gāo)電(diàn)壓功效下(xià)，使夾層玻璃、封裝原材料中間存有洩露電(diàn)流，很多(duō)正電(diàn)荷阻擊在電(diàn)池片表層，促使充電(diàn)電(diàn)池表層的鈍化處理實際效果惡變，造成 部件(jiàn)特性小(xiǎo)于設計規範。PID狀況比較嚴重時，會(huì)造成一(yī)塊部件(jiàn)輸出功率衰減系數50%之上(shàng)，進而危害全部組串的輸出功率輸出。高(gāo)溫、高(gāo)低(dī)溫、高(gāo)鹽土(tǔ)的沿海城(chéng)市(shì)容易産生(shēng)PID狀況。
導緻部件(jiàn)PID狀況的緣故關鍵有下(xià)列三個(gè)層面：
1）控制系統設計緣故：太陽能(néng)發電(diàn)站(zhàn)的防雷接地線是根據将矩陣邊沿的部件(jiàn)外框接地裝置完成的，這就(jiù)導緻在單獨部件(jiàn)和外框中間産生(shēng)偏壓，部件(jiàn)所處偏壓越高(gāo)而産生(shēng)PID狀況越比較嚴重。針對P型晶矽部件(jiàn)，根據有變電(diàn)器(qì)的逆變電(diàn)源負級接地裝置，清除部件(jiàn)外框相(xiàng)對性于電(diàn)池片的順向偏壓會(huì)合理的防止PID狀況的産生(shēng)，但逆變電(diàn)源負級接地裝置會(huì)提升相(xiàng)對的系統軟件(jiàn)基本建設成本費(fèi)；
2）太陽能(néng)組件(jiàn)緣故：高(gāo)溫、高(gāo)低(dī)溫的外部自(zì)然環境促使電(diàn)池片和接地裝置外框中間産生(shēng)洩露電(diàn)流，封裝原材料、側闆、夾層玻璃和外框中間産生(shēng)了洩露電(diàn)流安全通(tōng)道。根據應用更改絕緣層膠紙(zhǐ)丁二烯醋酸乙烯酯（EVA）是完成部件(jiàn)抗PID的方法之一(yī)，在應用不一(yī)樣EVA封裝膠紙(zhǐ)标準下(xià)，部件(jiàn)的抗PID特性會(huì)存有差别。此外，太陽能(néng)組件(jiàn)中的夾層玻璃關鍵為(wèi)鈣鈉玻璃，夾層玻璃對太陽能(néng)組件(jiàn)的PID狀況的危害迄今尚不确立；
3）電(diàn)池片緣故：電(diàn)池片方塊電(diàn)阻的勻稱性、減反射層的薄厚和折光(guāng)率等對PID特性都擁有 不一(yī)樣的危害。
隐裂是電(diàn)池片的缺點。因為(wèi)分子結構的本身特點，晶矽電(diàn)池片十分非常容易産生(shēng)裂開(kāi)。晶體矽部件(jiàn)生(shēng)産制造的生(shēng)産流程長(cháng)，很多(duō)階段都很有可能(néng)導緻電(diàn)池片隐裂（據西(xī)安交通(tōng)大學楊宏教師(shī)的材料，僅充電(diàn)電(diàn)池生(shēng)産制造環節就(jiù)大約200種緣故）。隐裂造成的實質緣故，可梳理為(wèi)在矽單晶上(shàng)造成了機(jī)械設備地應力或焊接應力。
近些年(nián)，晶矽部件(jiàn)生(shēng)産廠家以便控制成本，晶矽電(diàn)池片一(yī)直向愈來愈薄的方位發展趨勢，進而減少了電(diàn)池片避免 機(jī)械設備毀壞的工(gōng)作能(néng)力。
二零一(yī)一(yī)年(nián)，法國(guó)ISFH發布了她們的科學研究結果：依據電(diàn)池片隐裂的樣子，可分成5類：樹形結構裂痕、綜合性裂痕、斜裂痕、平行面于主栅線、垂直平分栅線和圍繞全部電(diàn)池片的裂痕。
不一(yī)樣的隐裂，對電(diàn)池片作用導緻的危害是不一(yī)樣的。對電(diàn)池片作用危害較大的，是平行面于主栅線的隐裂（第四類）。依據科學研究結果，50%的無效片來自(zì)于平行面于主栅線的隐裂。45°歪斜裂痕（第三類）的高(gāo)效率損害是平行面于主栅線損害的1/4。垂直平分主栅線的裂痕（第5類）幾乎不危害細栅線，因而導緻電(diàn)池片無效的總面積基本上(shàng)為(wèi)零。
